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半導体関連製品が外為法改正で輸出規制の対象に!ロシア以外の第三国への輸出にも要注意

グローバル化が進み、様々な業界で外国との取引が行われるケースが増えてきています。ただ、外国との取引には「外為法」が適用されることがありますので、同法による規制内容に注意しなければなりません。半導体関連についても輸出入は常時行われており同法への留意は欠かせません。

さらに20223月にはウクライナ情勢を受け同法の改正がなされています。そこでこの記事ではその改正内容、とりわけ半導体関連に関することを解説します。

 

ウクライナ情勢を受けた外為法改正の概要(20223月施行)

法律は社会情勢に合わせて変化するものです。

外為法(正式名称:外国為替及び外国貿易法)についても20223月に改正法が制定、そして施行されています。

 

今回の改正法はロシアによるウクライナ侵攻を背景としたものであり、ロシアおよびベラルーシに対する制裁措置としてなされました。この制裁措置を通して、ウクライナ情勢の問題解決を目指すことが目的といわれています。

 

改正外為法の概要は以下です。

  • 一定品目のロシア等に向けた輸出の禁止
    (半導体や炭素繊維、工作機械などが輸出禁止の対象になった)
  • ロシア等の特定団体に対する輸出の禁止
    (ロシア国防省やロシアの航空機メーカーなどが対象の団体)
  • ロシア等の軍事力強化に繋がる汎用品の輸出の禁止
    (半導体や通信機器等の汎用品が対象)
  • ロシア向け石油精製用装置等の輸出の禁止

 

ロシアのみならずベラルーシに対する輸出等も同等に禁止されていますし、ドネツク人民共和国およびルハンスク人民共和国への輸出も禁止されています。

さらに、これらに該当しない第三国に対する輸出でも規制対象となる可能性がありますので、要注意です。例えば当該第三国からロシア等に再輸出するケースなどでは輸出禁止の対象となり得ます。

 

外為法とは

そもそも「外為法」とは何か、ということも簡単に説明しておきます。

 

外為法の目的

外為法は、日本と外国との間でやり取りされる「資金」「財産(モノ)」「サービス」などを対象に適用される法律です。

 

同法第1条に規定されているように、「対外取引の正常な発展」「日本の経済や国際社会の平和・安全の維持」などを目的としています。

 

この法律は、外国為替、外国貿易その他の対外取引が自由に行われることを基本とし、対外取引に対し必要最小限の管理又は調整を行うことにより、対外取引の正常な発展並びに我が国又は国際社会の平和及び安全の維持を期し、もつて国際収支の均衡及び通貨の安定を図るとともに我が国経済の健全な発展に寄与することを目的とする。

引用:外国為替及び外国貿易法 第1条(https://elaws.e-gov.go.jp/document?lawid=324AC0000000228

 

この目的を達成するため、様々な規制がかけられています。

 

外為法による規制

外為法では、特定の国や地域に対する特定「貨物」の輸出入をするために、経済産業大臣の許可または承認が必要になることを定めています。

また、「役務取引」についても規制対象とされています。役務取引とは「同法による許可を受けなければならない特定技術につき特定国に対する提供を目的とする取引」などを意味します。

今回の法改正では貨物および役務取引どちらも規制対象とされています。

 

ただし経済制裁措置として規制をかけるには、以下いずれかの要件を満たさなければなりません。

  • 国際約束の誠実な履行のため必要と認められる
  • 国際平和への寄与のため特に必要と認められる
  • 日本の平和・安全維持のため特に必要と認められ、対応措置を講ずるとの閣議決定が行われた

 

これまでも経済制裁措置がとられてきた例はいくつもあります。

例えばタリバン関係者やテロリスト、北朝鮮のミサイル計画に関連する者、クリミア併合に直接関与している者など、平和を脅かす行為に関与した者を対象になされてきました。

 

半導体関連製品も改正外為法による規制対象

今回の改正外為法では、取引の相手方の制限、取引対象となる貨物や役務の制限がかかり、その影響の範囲は比較的広いです。

 

半導体関連で規制対象となっているものを以下に挙げます。

  • 一定品目(国際輸出管理レジーム対象品目)の輸出について
    武器、化学兵器、ミサイルのほか、先端材料、電子計算機、センサー等、通信、エレクトロニクスなど広い分野が対象
    半導体関連では以下
    • 電子制御用半導体素子
    • 半導体製造装置
    • 半導体基板
  • 軍事力強化に繋がる汎用品について
    以下のうち、経済産業大臣が省令で定めるものが対象
    • 半導体素子や集積回路、半導体物質、そしてこれらの組立品の製造用装置や付属品など
    • 半導体素子や集積回路、半導体物質、そしてこれらの組立品の試験装置や検査装置とその附属品など
  • 役務取引について
    • 集積回路や半導体製造装置、半導体試験装置などの設計・製造・使用のために設計したプログラムなど
    • 集積回路や半導体製造装置、半導体試験装置、レジストなどの設計・製造・使用のための技術(プログラムは除く)

 

これら貨物等の輸出に関しては原則として不承認との扱いになりましたが、人道支援の目的などであれば承認の余地があることも示されています。

また、ロシア等に対するあらゆる輸出が禁じられているわけではありませんので、規制対象として選定されたもの以外についてまで輸出承認申請をする必要はありません。

 

規制対象となっているものなど、改正法の詳しい情報はこちらのページを参考にすると良いでしょう。

参考:外国為替及び外国貿易法に基づく輸出貿易管理令等の改正について(

https://www.meti.go.jp/press/2021/03/20220315007/20220315007-1.pdf

 

まとめ

ウクライナ情勢を受けてなされた外為法の改正内容について紹介しました。半導体関連製品は日常用品のみならず幅広い用途で使用することができるため、今回の規制対象に含まれています。

外国との取引が盛んな企業は、再輸出による規制がかからないかどうかなど、よくチェックする必要があるでしょう。

ダイヤモンドはジュエリーの代表例でもありますが、半導体業界にとっても重要な存在です。従来用いられてきた半導体材料と比べてはるかに優れた性能を持っており、現在、これを実用化するための研究開発が盛んに行われています。

具体的には、ダイヤモンド基板の合成や、トランジスタ、ダイオードとしての利用なども試みられています。以下ではダイヤモンドの特徴や、近年注目を集めている開発内容などを解説しています。

  

半導体としてのダイヤモンドの特徴

ダイヤモンドは、絶縁耐圧性能が非常に優れています。シリコンの数十倍以上で、ダイヤモンドに並んで期待されている新材料、「SiC」「GaN」比べても数倍以上の性能を持っています。熱伝導率も非常に高く、バンドギャップも大きいです。

単純な性能の高さだけでなく、炭素の内殻電子数が少ないことなどもあり、半導体材料として特殊な物性を持つという特徴も持っています。そのため超高耐圧領域での応用など、将来の技術に期待が寄せられており、「究極の材料」と呼ばれることもあります。

 

ダイヤモンドの一般的な合成法

ダイヤモンドは天然のものもありますが、人為的に作ったダイヤモンドもあります。半導体デバイスとして利用される場合は後者であり、その合成法にはいくつかの種類があります。

 1つは「高温高圧成長法」で、これは地球内部の環境を再現することで合成する手法です。2100℃、および7GPaという高温高圧の条件下で合成を行います。もう1つは「CVD合成法」です。CVDとは「Chemical Vapor Deposition」の略で、固相に気相を触れさせ、固体表面に一層ずつ合成させていく手法のことです。

さらにCVD合成法には、気相の提供方法よる分類がなされ、特に「熱フィラメントCVD(熱励起)」と「マイクロ波プラズマCVD(放電励起)」が主流で、いずれも日本が強みとしている技術でもあります。それぞれ成長速度や成膜面積が異なっています。

 

半導体としてのダイヤモンドを実用化する上での課題

上の通り、ダイヤモンドは非常に優れた性能を持っており、すでにこれを合成する技術も確立しています。

しかしながら、半導体材料として量産し、様々な分野に応用していくにはまだ不十分です。宝石ですので、低コスト基盤とするのが難しく、量産性に難があります。そのため、単に合成ができるだけでなく、量産性を備えた独自の製法を確立させる必要があります。

  

国内における注目の研究開発

日本は、次世代パワー半導体材料に関する研究開発が比較的進んでおり、ダイヤモンドに関しても画期的な先行研究が行われています。以下でその例を紹介します。

  

ダイヤモンドウエハ大口径化技術の開発

アダマンド並木精密宝石が、ダイヤモンドウエハを大口径化する技術を進展させています。「ヘテロエピタキシャル成長法」「マイクロニードル法」2つの技術を掛け合わせることでこれを実現しました。

 

ヘテロエピタキシャル成長法とは、CVD合成法の一種です。成長させたいダイヤモンドを下地にする「ホモエピタキシャル成長」とは異なり、ダイヤモンド以外を下地にダイヤモンドを成長させる手法のことです。同じ素材であるほうが結晶性に優れ、歪が小さくて済むのですが、下地基盤より大きなものを作るのが難しいためダイヤモンドの大口径化には向いていません。

そこで別の素材を使って大口径化を目指すのですが、この場合には材料特性の差によって、ダイヤモンドの成長過程で歪が生じてしまいやすいです。これによってダイヤモンドも砕けてしまいます。

この問題を解決するのが「マイクロニードル法」です。要は、下地基盤とダイヤモンドの間にクッションとなるマイクロニードルを設け、歪を緩和するという手法です。ごく簡単に説明すると以下のような手順です。

  

  • ダイヤモンドの上にニッケル薄膜を成膜
  • ニッケル薄膜に微細な穴を開けて、ダイヤモンドを部分的に露出させる
  • ダイヤモンドをエッチングし、開いた穴と同じ直径の細長い棘(マイクロニードル)を作る
  • マイクロニードルの上にさらにダイヤモンド厚膜を成長させる
  • 冷却過程の歪により、下地基盤と接触するマイクロニードルが折れる
  • ダイヤモンド厚膜は下地基板から分離され、破損なく取り出せる

あえて歪による破損が起こりやすい部位を作り、緩衝させ、かつ自然にダイヤモンドを取り出せるようにしています。

   

シリコンウエハとの直接接合技術の開発

別の観点からもダイヤモンド量産に向けた開発が行われています。例えば、産業技術総合研究所によって開発されたシリコンウエハとの直接接合技術です。要は、シリコン基板にダイヤモンド基盤を貼り付けるための技術であり、これにより単体基盤で用いる場合よりも材料コストを下げることができます。

 従来は直接接合をするには高温か超高真空という環境を用意しなければならないという問題を抱えていたのですが、半導体基板の洗浄で一般に使われている混合液を用いた接合技術によりこの問題を解決できます。

以下が簡単な手順です。

  

  • シリコン基板を混合液に浸漬する
  • プラズマ処理をしたシリコン基板にダイヤモンドを接触させる
  • 200℃に加熱  

この流れで原子レベルの直接接合ができます。従来では1000℃ほどの加熱を要していたのが、この技術によれば200℃程度で足ります。

  

まとめ

欧州などでもダイヤモンドウエハの開発が行われていますが、同分野においては日本がリードしていると言われ、ダイヤモンドMOSFETの開発も国内で進んでいます。今後もデバイス実用化に向けて様々な研究開発が進められていくことでしょう。

関連ページ:⇨次世代パワー半導体素材SiCについて

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